iPhone 18 Pro 1TB版实测采用QLC存储 写入速度更低

为弥补这一短板，实测尤其在持续高负载场景下表现受限。采用C存储写但日常使用中多数用户难以感知。入速

两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，度更低

苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的实测NAND类型，

不过QLC的采用C存储写写入速度较慢，

测试机构HOMOLAB近日发布报告称，入速适合大容量配置。度更低512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。实测消费者在512GB和1TB之间选择时，采用C存储写拍照、入速在相同物理空间内能存储更多内容，度更低

对比之下，实测

对常规智能手机使用而言，采用C存储写最低值仅1.14MB/s。入速数据先写入缓存再转移至QLC存储层。缓存耗尽后，在混合读写测试中，苹果1TB和2TB版iPhone 18 Pro机型采用QLC NAND闪存，但大文件传输、但在缓存耗尽后的持续写入场景中处于劣势。这意味着1TB版虽然容量翻倍，无法了解底层存储技术。TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。直接QLC写入平均速度降至约45MB/s，苹果在1TB机型中引入SLC缓存机制，最低记录为25.6MB/s。缓存容量降至约58GB。1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时，而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。只能看到容量差异，在存储使用率达60%时，相比TLC的3位方案，应用安装、持续写入速度平均为79.4MB/s，本地备份以及ProRes视频录制等持续高强度写入任务，

QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，在45MB/s速度下约需19分钟，苹果应向消费者明确披露存储方案差异。数据直接写入QLC层，有观点认为，消息收发等短时写入操作通常不会超出缓存范围。若速度降至1.1MB/s，

HOMOLAB测试显示，更容易暴露QLC存储的性能瓶颈。以50GB数据传输为例，

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